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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明提供了一种提高Nd：YAG晶体调制带宽的方法，属于激光器调频技术领域，包括如下步骤：将单层压电陶瓷PZT粘接于Nd：YAG晶体的上表面；在横向工作模式下对PZT施加电压调制信号，使施加压力状态下的PZT发生振动对Nd：YAG晶体产生应力，以改变Nd：YAG晶体腔长，得到提高后的频率带宽。本发明通过在Nd：YAG晶体上粘接单层压电陶瓷，并在横向工作模式下对PZT施加电压调制信号，有效地提高了压电陶瓷位移引起的Nd：YAG晶体腔长的变化响应，使压电调制带宽提高到约180kHz。
主权项：1.一种提高Nd：YAG晶体调制带宽的方法，其特征在于，包括如下步骤：将单层压电陶瓷PZT粘接于Nd：YAG晶体的上表面；在横向工作模式下对所述PZT施加电压调制信号，使施加压力状态下的所述PZT发生振动对所述Nd：YAG晶体产生应力，以改变Nd：YAG晶体腔长，得到Nd：YAG晶体的压电调制带宽；所述PZT与Nd：YAG晶体采用双组份环氧树脂胶进行粘接，且粘接面积为80-90mm2；所述双组份环氧树脂胶选用Epo-Tek的301-2双组份AB胶；将单层压电陶瓷PZT粘接于Nd：YAG晶体的上表面，包括如下步骤：将双组份环氧树脂胶均匀涂覆于Nd：YAG晶体上表面；将PZT放置在Nd：YAG晶体上表面，使胶水在室温下固化2天；在固化过程中对PZT施加压力；对所述PZT施加的压力为35-125kPa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种提高Nd：YAG晶体调制带宽的方法
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