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申请/专利权人：力拓半导体股份有限公司
摘要：一种金属氧化物半导体控制二极管MCD包括衬底、外延层、场氧化层、数个植入区、高介电常数栅氧化层以及金属层。外延层位于所述衬底上，场氧化层位于所述外延层上，且所述场氧化层具有数个场氧化层开口。植入区位于所述场氧化层开口内的所述外延层中。高介电常数栅氧化层位于所述场氧化层上并具有数个栅氧化层开口，露出部分植入区。金属层覆盖所述高介电常数栅氧化层与所述栅氧化层开口，以直接接触部分植入区。金属硅化物层位于每个植入区与金属层之间。
主权项：1.一种金属氧化物半导体控制二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层位于所述衬底上；场氧化层位于所述外延层上，且所述场氧化层具有多数个场氧化层开口；多数个植入区位于所述场氧化层开口内的所述外延层中；高介电常数栅氧化层位于所述场氧化层上并具有多数个栅氧化层开口，露出部分所述多数个植入区；金属层覆盖所述高介电常数栅氧化层与所述栅氧化层开口，以直接接触部分所述多数个植入区；以及金属硅化物层，位于每个所述多数个植入区与所述金属层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力拓半导体股份有限公司 金属氧化物半导体控制二极管与其制造方法
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