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申请/专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
摘要：本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。
主权项：1.一种用于产生电子组件的方法，包括：在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管，其中共同产生包括：形成所述双极型晶体管的非本征基极；利用与所述非本征基极接触的链路来填充在层的区域之间的凹口；以及形成所述至少一个可变电容二极管，以包括具有第一导电类型的第一区和具有第二导电类型的第二区，所述第一区位于所述第二区的顶部上；其中所述第一区和与所述链路接触的区域由在同一沉积步骤中沉积的层形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(克洛尔2)公司 用于产生二极管的方法
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