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申请/专利权人：上海机电工程研究所
摘要：本发明提供了一种高精度SiCMOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法，采用Saber电路仿真软件对SiCMOSFET进行建模，根据SiCMOSFET的数据手册输入寄生电容等参数并手动拟合，驱动回路和外围电路寄生参数通过LC振荡等效电路实验法获取，外部栅极电阻和外部栅源级电容作为模型变量根据实际情况选取，通过双脉冲模型仿真的结果和双脉冲实验的结果对比验证模型的精度。本发明所搭建的SiCMOSFET双脉冲仿真模型可以代替双脉冲实验完成对SiCMOSFET的测试，并且可以更加高效的评估功率器件的性能，获得稳态和动态过程中的主要参数、优化驱动设计等优点。
主权项：1.一种高精度SiCMOSFET双脉冲仿真模型，其特征在于，包括：两个半导体功率器件SiCMOSFET、驱动回路和外围电路；两个SiCMOSFET完全相同，通过串联组成一个功率半桥，上桥SiCMOSFET保持持续关断，下桥SiCMOSFET给定两个脉冲从而测试其开关特性；驱动回路包括由信号发生器、外部栅极电阻、外部栅源级电容和第四寄生电感，信号发生器的正级通过第四寄生电感和外部栅极电阻连接至SiCMOSFET的栅极，信号发生器的负级连接SiCMOSFET的源极，在SiCMOSFET的栅极和源极之间并联外部栅源级电容；外围电路包括电感负载、母线电容、第二寄生电感、第一电源、第二电源和主回路寄生参数，其中第一电源的正负两端分别连接至上桥SiCMOSFET的漏极和下桥SiCMOSFET的源极，第二电源的正负两端分别连接至上桥SiCMOSFET的栅极和下桥SiCMOSFET的源极，电感负载和上桥SiCMOSFET的漏极和源极并联连接，第二寄生电感为母线电容的寄生电感，和母线电容串联的同时和母线电容一起并联在第一电源的正负极之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海机电工程研究所 高精度SiC MOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法
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