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申请/专利权人:浙江海纳半导体股份有限公司
摘要:本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域,具体地说,涉及一种单晶硅片的二次切割加工和清洗方法。包括如下步骤:将待处理硅片进行RCA标准清洗;将聚乙二醇通过旋涂工艺均匀涂敷在硅片表面;将两个单晶硅片抛光面粘接在一起;通过直角模具定位架对硅片进行定位;采用激光切割机进行切割;采用SC‑1和H2O对硅片进行超声清洗,同时将粘接的硅片分离;对加工后的硅片进行边缘倒角加工;通过RCA标准清洗工艺对硅片进行清洗。本发明设计在硅片的分离过程不需要进行机械剥离,极大地降低了碎片率,且通过温度控制粘接和分片过程,操作简便,效果显著,灵活性强,能够适用于抛光硅片的表面无损转尺寸加工。
主权项:1.一种单晶硅片的二次切割加工和清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、单晶硅片的预处理:将待处理硅片进行RCA标准清洗;S2、涂蜡:将聚乙二醇通过旋涂工艺均匀涂敷在硅片表面;S3、粘片:将两个单晶硅片抛光面粘接在一起;S4、定位:通过直角模具定位架对硅片进行定位;S5、切割:采用激光切割机进行切割;S6、分片:采用SC-1和H2O对硅片进行超声清洗,同时将粘接的硅片分离;S7、倒角:对加工后的硅片进行边缘倒角加工;S8、清洗:通过RCA标准清洗工艺对硅片进行清洗。
全文数据:
权利要求:
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