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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
摘要:本公开实施例提出一种半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统,半导体结构包括至少一个叠层结构;叠层结构的制作方法包括:提供第一堆叠结构;第一堆叠结构中设置有外围电路;形成至少贯穿第一堆叠结构的第一接触和第二接触;第二接触与外围电路连接;第一接触位于第二接触远离外围电路的一侧;提供第二堆叠结构;第二堆叠结构中设置有存储单元阵列;形成贯穿第二堆叠结构的第三接触和第四接触;第四接触与存储单元阵列连接;第三接触位于第四接触远离存储单元阵列的一侧;将第一堆叠结构与第二堆叠结构沿第一方向堆叠并键合,形成叠层结构;第一接触与第三接触键合连接形成第一互连结构;第二接触与第四接触键合连接形成第二互连结构。
主权项:1.一种半导体结构的制作方法,其特征在于,所述半导体结构包括至少一个叠层结构;所述叠层结构的制作方法包括:提供第一堆叠结构;所述第一堆叠结构中设置有外围电路;形成至少贯穿所述第一堆叠结构的第一接触和第二接触;所述第二接触与所述外围电路连接;所述第一接触位于所述第二接触远离所述外围电路的一侧;提供第二堆叠结构;所述第二堆叠结构中设置有存储单元阵列;形成贯穿所述第二堆叠结构的第三接触和第四接触;所述第四接触与所述存储单元阵列连接;所述第三接触位于所述第四接触远离所述存储单元阵列的一侧;将所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构沿第一方向堆叠并键合,形成所述叠层结构;其中,所述第一接触与所述第三接触键合连接形成第一互连结构;所述第二接触与所述第四接触键合连接形成第二互连结构。
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百度查询: 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统
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