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申请/专利权人：合肥欧益睿芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前增强型GaAsHEMT器件阈值电压小且易漂移的技术问题，提出一种增强型GaAsHEMT器件及其制造方法、电子设备，所述方法包括以下步骤：在GaAs衬底上生长外延层，形成GaAs外延片，其中，外延层为多层结构，自上至下的四层分别为P型帽层、停止层、势垒层和沟道层，GaAs外延片分为栅极区、源极区和漏极区；对源极区和漏极区的P型帽层进行刻蚀，并进行介质的沉积，在栅极区形成P型凸起和介质层，其中，介质层覆盖P型凸起的顶面和侧壁；在源极区和漏极区沉积N型帽层；在栅极区形成位于P型凸起之上的栅极金属。
主权项：1.一种增强型GaAsHEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在GaAs衬底上生长外延层，形成GaAs外延片，其中，所述外延层为多层结构，自上至下的四层分别为P型帽层、停止层、势垒层和沟道层，所述GaAs外延片分为栅极区、源极区和漏极区，其中，停止层采用GaInP；S2，对所述源极区和所述漏极区的P型帽层进行刻蚀，并进行介质的沉积，在所述栅极区形成P型凸起和介质层，其中，所述介质层覆盖所述P型凸起的顶面和侧壁；S3，在所述源极区和所述漏极区沉积N型帽层；S4，在所述栅极区形成位于所述P型凸起之上的栅极金属，步骤S2具体包括：在所述GaAs外延片上沉积介质层；对所述源极区和所述漏极区的介质层和P型帽层进行刻蚀，停止在停止层，得到第一半成品；在所述第一半成品上沉积介质层；对所述源极区和所述漏极区的介质层进行刻蚀，停止在停止层，步骤S2还包括：对所述源极区和所述漏极区的停止层进行刻蚀，停止在势垒层。
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百度查询： 合肥欧益睿芯科技有限公司 增强型GaAs HEMT器件及其制造方法、电子设备
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