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申请/专利权人：合肥欧益睿芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，为解决目前ED集成工艺大多比较复杂，而且所制成的产品存在缝隙，产品质量有待进一步改进的技术问题，提出一种ED集成的GaAsHEMT器件及其制造方法、电路和电子设备，所述方法包括以下步骤：在GaAs衬底上生长外延层，形成GaAs外延片；对耗尽型栅极区、源漏极区和隔离区的P型帽层进行刻蚀，停止在第一停止层，并进行介质层的沉积；对耗尽型栅极区和源漏极区的第一停止层进行刻蚀，停止在第一势垒层，并在耗尽型栅极区和源漏极区沉积N型帽层；在隔离区注入隔离用离子；对耗尽型栅极区的N型帽层和第一势垒层进行刻蚀，停止在第二停止层，形成耗尽型栅极槽；形成源极金属和漏极金属；形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属。
主权项：1.一种ED集成的GaAsHEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在GaAs衬底上生长外延层，形成GaAs外延片，其中，所述外延层为多层结构，自上至下的四层分别为P型帽层、第一停止层、第一势垒层和第二停止层，所述GaAs外延片分为增强型栅极区、耗尽型栅极区、源漏极区和隔离区，其中，第一停止层和第二停止层采用GaInP，隔离区位于增强型GaAsHEMT器件与耗尽型GaAsHEMT器件之间；S2，对所述耗尽型栅极区、所述源漏极区和所述隔离区的P型帽层进行刻蚀，停止在第一停止层，并进行介质层的沉积，在所述增强型栅极区形成P型凸起，和形成覆盖所述P型凸起的顶面及侧壁的介质层，在所述隔离区形成介质层；S3，对所述耗尽型栅极区和所述源漏极区的第一停止层进行刻蚀，停止在第一势垒层，并在所述耗尽型栅极区和所述源漏极区沉积N型帽层；S4，在所述隔离区注入隔离用离子，其中，所述隔离用离子为硼离子；S5，对所述耗尽型栅极区的N型帽层和第一势垒层进行刻蚀，停止在第二停止层，形成耗尽型栅极槽；S6，分别在所述源漏极区的相应位置处形成源极金属和漏极金属；S7，分别在所述增强型栅极区和所述耗尽型栅极区形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥欧益睿芯科技有限公司 E/D集成的GaAs HEMT器件及其制造方法、电路和电子设备
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