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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要：本发明提供了一种沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法，所述沟槽型栅极结构的制备方法包括：提供衬底，其上具有栅极沟槽；形成第一介质层覆盖衬底的表面及栅极沟槽的内壁，且第一介质层在栅极沟槽底部的最小厚度大于或等于预设厚度；形成第二介质层覆盖衬底表面及栅极结构内的第一介质层的表面，第二介质层包括掺杂的第一介质层，并执行高温回流工艺，使第二介质层填充栅极沟槽；执行干法刻蚀工艺，去除第二介质层及部分厚度的第一介质层暴露栅极沟槽的侧壁，并在栅极沟槽底部保留预设厚度的第一介质层；在栅极沟槽内的第一介质层上形成栅极结构。本发明用于高效且简便地提升沟槽型栅极结构的开关性能及可靠性。
主权项：1.一种沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，其上具有栅极沟槽；形成第一介质层覆盖所述衬底的表面及所述栅极沟槽的内壁，且所述第一介质层在所述栅极沟槽底部的最小厚度大于或等于预设厚度；形成第二介质层覆盖所述衬底表面及所述栅极结构内的第一介质层的表面，所述第二介质层包括掺杂的第一介质层，并执行高温回流工艺，使所述第二介质层填充所述栅极沟槽；执行干法刻蚀工艺，去除所述第二介质层及部分厚度的所述第一介质层暴露所述栅极沟槽的侧壁，并在所述栅极沟槽底部保留所述预设厚度的第一介质层；在所述栅极沟槽内的第一介质层上形成栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法
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