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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SCR架构的ESD保护器件。包括P型衬底，P型衬底的表层中间区域形成有第一N型掺杂区，第一N型掺杂区左、右两侧的P型衬底表层分别形成第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，第一P型掺杂区与第一N型掺杂区之间连有第一浅沟槽隔离结构，第二N型掺杂区与第一N型掺杂区之间连有第二浅沟槽隔离结构；P型衬底中还形成横向间隔的第一N型阱区和第二N型阱区；第一N型阱区和第二N型阱区均从P型衬底的表层向下延伸，第一P型掺杂区和第一浅沟槽隔离结构位于第一N型阱区中，第一N型阱区与第一N型掺杂区的左侧部分重叠；第二N型阱区位于第一N型掺杂区与第二N型掺杂区之间。
主权项：1.一种SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述SCR架构的ESD保护器件包括P型衬底，所述P型衬底的表层中间区域形成有第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区左、右两侧的P型衬底表层分别形成第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，所述第一P型掺杂区与所述第一N型掺杂区之间连有第一浅沟槽隔离结构，所述第二N型掺杂区与所述第一N型掺杂区之间连有第二浅沟槽隔离结构；所述P型衬底中还形成横向间隔的第一N型阱区和第二N型阱区；所述第一N型阱区和第二N型阱区均从所述P型衬底的表层向下延伸，所述第一P型掺杂区和第一浅沟槽隔离结构位于所述第一N型阱区中，所述第一N型阱区与所述第一N型掺杂区的左侧部分重叠；所述第二N型阱区位于所述第一N型掺杂区与所述第二N型掺杂区之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 SCR架构的ESD保护器件
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