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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atomscm3以下。
主权项：1.一种固体摄像组件用的硅磊晶晶圆，是在硅单晶基板的表面具有硅磊晶层的固体摄像组件用的硅磊晶晶圆，其特征在于，所述硅磊晶层是主掺杂物为Ga的p型磊晶层，并且B浓度为5×1014原子cm3以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件
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