龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：福建福顺微电子有限公司
摘要：一种双向可控硅的制作方法，包括如下步骤，选取N型单晶硅材料片，在所述N型单晶硅材料片上生长一层2.0um以上氧化层，用双面光刻机刻出正、反面隔离图形，并用化学腐蚀液去除不需要的氧化层腐蚀出隔离区域，在所述隔离区域上沉积P型杂质源，然后进行高温扩散，形成第六P型层，在晶圆正面用光刻、注入方法，形成P型分压环，注入条件为基区注入剂量的1％，区别于现有技术，上述技术方案通过改变P2结深和P4结深能够使得产品有更好的dvdt表现，同时还由于增加了n5的有效重叠面积，能够使得电子注入能力增加，降低IGT4电流，使得本产品的通电表现更为稳定。
主权项：1.一种双向可控硅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤，选取N型单晶硅材料片，在所述N型单晶硅材料片上生长一层2.0um以上氧化层，用双面光刻机刻出正、反面隔离图形，并用化学腐蚀液去除不需要的氧化层腐蚀出隔离区域，在所述隔离区域上沉积P型杂质源，然后进行高温扩散，形成第六P型层，在晶圆正面用光刻、注入方法，形成P型分压环，注入条件为基区注入剂量的1％，在晶圆正面用光刻方法形成P2层图形，背面不保留光刻胶，在晶圆正面做硼离子注入得到第二P型层，在晶圆背面做硼离子注入得到第四P型层，在晶圆正面的离子注入剂量高于晶圆背面离子注入剂量，使得第二P型层结深大于第四P型层结深，用光刻、湿法腐蚀的方法形成正面发射区图形、背面发射区图形，所述正面发射区为第一N型层，所述背面发射区图形为第五N型层，在双向可控硅的高度方向的投影中，所述第五N型层的与正面G极区域有效重叠的面积增大30％-70％，在晶圆正面制作可控硅阴极、门极，在背面暴露氧化层制作阳极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建福顺微电子有限公司 一种双向可控硅的制作方法及双向可控硅
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号