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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有场板结构的可控硅整流器和制造方法。该结构包括：位于半导体衬底中的多个第一类型的阱；位于半导体衬底中的第二类型的阱，第二类型的阱围绕多个第一类型的阱；围绕多个第一类型的阱的隔离结构，该隔离结构将第二类型的阱与多个第一类型的阱隔离开；以及位于隔离结构上的多个场板，该多个场板围绕多个第一类型的阱。
主权项：1.一种结构，包括：位于半导体衬底中的多个第一类型的阱；位于所述半导体衬底中的第二类型的阱，所述第二类型的阱围绕所述多个第一类型的阱；围绕所述多个第一类型的阱的隔离结构，所述隔离结构将所述第二类型的阱与所述多个第一类型的阱隔离开；以及位于所述隔离结构上的多个场板，所述多个场板围绕所述多个第一类型的阱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 具有场板的可控硅整流器
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