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申请/专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
摘要：本发明公开一种半导体结构的制作方法，包含提供一高电压金属氧化物半导体，高电压金属氧化物半导体包含有一基底，基底上包含有一NMOS区以及一PMOS区，其中NMOS区与PMOS区内均各自包含有一氧化层，对PMOS区进行一P型离子掺杂步骤，在P型离子掺杂步骤过程中减薄PMOS区的氧化层，以及在P型离子掺杂步骤之后，对NMOS区进行一N型离子掺杂步骤，在N型离子掺杂步骤中减薄NMOS区的氧化层。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，包含:提供高电压金属氧化物半导体，该高电压金属氧化物半导体包含有基底，基底上包含有NMOS区以及PMOS区，其中该NMOS区与该PMOS区内均各自包含有氧化层；对该PMOS区进行P型离子掺杂步骤，在该P型离子掺杂步骤过程中减薄该PMOS区的该氧化层；以及在该P型离子掺杂步骤之后，对该NMOS区进行N型离子掺杂步骤，在该N型离子掺杂步骤中减薄该NMOS区的该氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 半导体结构的制作方法
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