申请/专利权人：瑞昱半导体股份有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-05-21

公开（公告）号：CN118057725A

主分类号：H03F3/193

分类号：H03F3/193;H03F1/56

优先权：["20221121 US 18/057,243"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.07#实质审查的生效;2024.05.21#公开

摘要：本申请涉及精准偏压及充裕伸展空间的射频放大器及其方法。射频接收器的偏压的运行方法包含将第一NMOSFET作为共源放大器；将第二NMOSFET作为层叠于第一NMOSFET之上的叠接元件；输入参考电流至第三NMOSFET的漏极；利用第一运算放大器根据第三NMOSFET的漏极与第四NMOSFET的漏极之间的电压差异，产生第一偏电压以控制第一NMOSFET的栅极、第三NMOSFET的栅极及第四NMOSFET的栅极；将第五NMOSFET层叠于第四NMOSFET之上；及利用第二运算放大器根据参考电压及第四NMOSFET的漏极之间的电压差异，产生第二偏电压以控制第二NMOSFET的栅极及第五NMOSFET的栅极。

主权项：1.一种射频放大器，包含：一叠接放大器，包含一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管及一第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的一层叠，该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管是由一第一偏电压偏置，该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管是由一第二偏电压偏置；一负载网络，包含一负载电感，用以将一电源节点耦接至该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极；及一偏压产生网络，用以根据一参考电流及一参考电压，产生该第一偏电压及该第二偏电压，该偏压产生网络包含一第三N型金属氧化物半导体场效晶体管、一第四N型金属氧化物半导体场效晶体管、一第五N型金属氧化物半导体场效晶体管、一第一运算放大器及一第二运算放大器；其中，该参考电流输入至该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极；该第一运算放大器根据该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极与该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极之间或是该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极与该参考电压之间的电压差异，输出该第一偏电压以控制该第三N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极及该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极；该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管层叠于该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管之上，且该第五N型金属氧化物半导体场效晶体管层叠于该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管之上；该第二运算放大器根据该参考电压与该第四N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极之间的电压差异，输出该第二偏电压以控制该第五N型金属氧化物半导体场效晶体管的栅极；且该第五N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极连接该电源节点。

全文数据：

权利要求：

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