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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种抗SEB功率VDMOS制造方法，属于VDMOS器件技术领域。提供硅晶圆，进行JFET注入；进行Pbody光刻和Pbody注入，并实行Pbody推结；在硅晶圆表面进行n‑光刻和n‑注入，并依次形成栅氧和多晶栅极；进行LPCVD淀积SiO2、spacer腐蚀形成侧墙，再进行n+光刻、n+注入、PSEB注入以及p+光刻、p+注入；进行PMD淀积、接触孔刻蚀；形成正面金属Al和背面金属TiNiAg。本发明可用于航空航天领域电推进系统、电源系统中功率器件的设计与制造,在辐射环境中实现高效电力电子转换。
主权项：1.一种抗SEB功率VDMOS制造方法，其特征在于，包括：提供硅晶圆，进行JFET注入；进行Pbody光刻和Pbody注入，并实行Pbody推结；在硅晶圆表面进行n-光刻和n-注入，并依次形成栅氧和多晶栅极；进行LPCVD淀积SiO2、spacer腐蚀形成侧墙，再进行n+光刻、n+注入、PSEB注入以及p+光刻、p+注入；进行PMD淀积、接触孔刻蚀；形成正面金属Al和背面金属TiNiAg。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种抗SEB功率VDMOS制造方法
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