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申请/专利权人：思而施技术株式会社
申请日：2019-12-20
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN113227898B
主分类号：G03F1/32
分类号：G03F1/32;G03F1/38
优先权：["20181226 KR 10-2018-0168941","20190307 KR 10-2019-0026066"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.24#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开
摘要：一种空白罩幕以及光罩，所述空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD临界尺寸criticaldimension以及制程窗口余裕processwindowmargin方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。
主权项：1.一种空白罩幕，包括透明基板、形成于所述透明基板上的光屏蔽膜及形成于所述光屏蔽膜上的硬膜，所述硬膜包含硅化合物，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者中的轻元素；其中所述空白罩幕还包括抗蚀剂膜；其中所述光屏蔽膜包括由二或更多个层构成的多层式膜；当抗蚀剂膜包含正型抗蚀剂时，所述光屏蔽膜的最顶层下方的一或多个层被配置成较所述最顶层被更快速地蚀刻；以及当抗蚀剂膜包含负型抗丝剂时，所述光屏蔽膜的最顶层下方的一或多个层被配置成较所述最顶层被更缓慢地蚀刻。
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