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申请/专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
摘要：本发明公开了一种SDM控制器的EDR事件存储方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括在Flash芯片上构建两个存储区且每个存储区至少包括三块记录块，一个存储区用于存储锁定数据，另一个存储区用于存储非锁定数据；将EDR待记录的数据存储至一循环记录队列中；产生EDR触发事件，遍历所有缓存通道找空闲的缓存通道；计算当前时刻和启动记录时刻的时间差；根据时间差，将循环记录队列中对应的数据搬运至缓存通道内；基于EDR触发事件，将缓存通道内的数据写入对应存储区内的空闲记录块。本发明把FLASH芯片划分出了非锁定区和锁定区域，在上电时擦除，保证了写入FLASH的操作不会影响正常的MCU功能，通过配合设计的循环记录队列，缓存通道，高性能的实现完整的EDR功能。
主权项：1.一种SDM控制器的EDR事件存储方法，其特征在于，包括：在Flash芯片上构建两个存储区且每个所述存储区至少包括三块记录块，其中，一个所述存储区用于存储锁定数据，另一个所述存储区用于存储非锁定数据；将EDR待记录的数据存储至一循环记录队列中；当产生EDR触发事件，遍历所有缓存通道找一空闲的缓存通道；计算当前时刻和启动记录时刻的时间差；根据所述时间差，将所述循环记录队列中对应的数据搬运至所述缓存通道内；基于所述EDR触发事件，将所述缓存通道内的数据写入对应所述存储区内的空闲记录块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上汽通用五菱汽车股份有限公司 一种SDM控制器的EDR事件存储方法、装置、电子设备及存储介质
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