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申请/专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118091390A
主分类号：G01R31/327
分类号：G01R31/327
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种GIS或GIL内部插接触头状态检测方法及系统，所述方法包括：对母线导体两端施加恒流直流电流并测量整体回路电阻R0；在GIS或GIL外筒壁的插接触头标记处施加外磁场并测量外磁场下整体回路电阻R1、磁感应强度B1；在所述插接触头标记处施加反向外磁场，测量反外磁场下整体回路电阻R2，调整反向外磁场的大小，使R2满足R1‑R0＝‑R2‑R0，并测量的磁感应强度B2；根据B1、B2计算外磁场、反向外磁场下的触头触指压力FX1、FX2；根据FX1、FX2计算初始触头触指压力FX0，根据FX0判断插接触头状态。本发明能够在不拆解、重装GIS或GIL的情况下进行内部插接触头状态的精准检测。
主权项：1.一种GIS或GIL内部插接触头状态检测方法，所述GIS或GIL包括内部母线导体和外筒壁，母线导体上设有插接触头，外筒壁外表面设有插接触头标记，其特征在于，所述方法包括：步骤1：对待测GIS或GIL母线导体的两端施加恒流直流电流，并测量此时的GIS或GIL母线的整体回路电阻R0；步骤2：在GIS或GIL外筒壁的插接触头标记处施加外磁场，并测量外磁场下GIS或GIL母线的整体回路电阻R1、磁感应强度B1；步骤3：在GIS或GIL外筒壁的插接触头标记处施加反向外磁场，测量反外磁场下GIS或GIL母线的整体回路电阻R2，调整反向外磁场的大小，使R2满足R1-R0＝-R2-R0，并测量此时的磁感应强度B2；步骤4：分别根据B1、B2计算外磁场、反向外磁场下的触头触指压力变量FX1、FX2；步骤5：根据FX1、FX2计算初始触头触指压力FX0，根据FX0判断插接触头状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国网河南省电力公司电力科学研究院 一种GIS或GIL内部插接触头状态检测方法及系统
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