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一种基于Ge掺杂薄层碲烯的新型气体传感器及其应用 

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申请/专利权人:重庆大学

摘要:本发明公开了一种基于Ge掺杂薄层碲烯的新型气体传感器及其应用,包括:二维碲烯作为衬底,在所述二维碲烯衬底掺杂有Ge元素,所述Ge元素在所述二维碲烯衬底中的掺杂浓度比例为2%至4%。明确Ge掺杂薄层碲烯传感器对有毒气体NH3和O3具有优秀的响应灵敏度,以及良好的响应恢复时间,利用传感器电流电压变化反应气体浓度变化;同时传感器在检测O3时可以产生显著的光学特性变化,可实现对O3的特异性检测,并作为区分不同气体类型的有效方法,进一步提高传感器检测的可靠性与精度。说明Ge掺杂薄层碲烯传感器可应用于气体类型检测与环境空气质量监测方面。

主权项:1.一种基于Ge掺杂薄层碲烯的新型气体传感器及其应用,其特征在于:包括二维碲烯衬底,所述二维碲烯衬底掺杂有Ge元素,所述Ge元素在所述二维碲烯衬底中的掺杂浓度比例为2%至4%。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 重庆大学 一种基于Ge掺杂薄层碲烯的新型气体传感器及其应用

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