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申请/专利权人：全阵光敏(北京)信息技术有限公司
摘要：本申请公开了一种电荷域TDI图像传感器及其工作方法，涉及图像传感器技术领域。该电荷域TDI图像传感器包括：M列×N行像素阵列，每一列像素均设有一个列读出电路；每一个像素包括：电荷存储晶体管，光电二极管；同一列像素内的电荷存储晶体管，用于在像素阵列每一次曝光后，分别将存储的电荷转移至同一列像素中的下一电荷存储晶体管内，以实现电荷整体的向前移动；同一列像素中位于最后的电荷存储晶体管，将存储的电荷转移至列读出电路进行量化后输出，以得到该列像素的时间延迟积分信号。本申请可采用传统CMOS图像传感器工艺，便于与现有成熟CMOS工艺读出电路集成。
主权项：1.一种电荷域TDI图像传感器，其特征在于，包括：M列×N行像素阵列，用于将光信号转换为电信号；像素阵列中的每一列像素均设有一个列读出电路，用于实现每一列像素的读出功能，将电信号转换为数字信号；每一个像素包括：电荷存储晶体管，用于与光电二极管相连，且不同像素间的电荷存储晶体管通过电荷传输晶体管连接；光电二极管，用于在像素阵列每一次曝光后，光电二极管内的电荷转移至电荷存储晶体管内，并与电荷存储晶体管内原有的电荷进行累加；同一列像素内的电荷存储晶体管，用于在像素阵列每一次曝光后，分别将存储的电荷通过电荷传输晶体管转移至同一列像素中的下一电荷存储晶体管内，以实现电荷整体的向前移动；其中，同一列像素中位于最后的电荷存储晶体管，直接将其存储的电荷通过电荷传输晶体管转移至列读出电路进行量化后输出，以得到该列像素的时间延迟积分信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全阵光敏(北京)信息技术有限公司 一种电荷域TDI图像传感器及其工作方法
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