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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-02-19
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156220A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/311;C09K13/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本申请提供一种接触孔的刻蚀方法，包括：提供堆叠的衬底、导电层、阻挡层、层间介质层、硬掩膜层、介电抗反射层和底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层和介电抗反射层；刻蚀硬掩膜层；对层间介质层进行主刻蚀处理；对层间介质层进行过刻蚀处理，参与过刻蚀处理的气体包括：C4F6和C4F8；刻蚀阻挡层以形成环形接触孔和矩形接触孔。本申请通过将C4F8与C4F6复合以过刻蚀层间介质层，降低了总的碳氟比，使得产生的聚合物或副产物量减少；此外，分子结构的差异减少了高黏滞系数自由基的产生，减少了接触孔顶部及侧壁的聚合物，使得在顶部开口CD及刻蚀氛围相同时，缩小了二者底部开口横向尺寸的差异，从而减小二者接触电阻的差异。
主权项：1.一种接触孔的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有导电层、阻挡层、层间介质层、硬掩膜层、介电抗反射层、底部抗反射层；形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层位于所述底部抗反射层上，所述图案化的光刻胶层上形成有环形接触孔图形和矩形接触孔图形；以所述图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述底部抗反射层和所述介电抗反射层至所述硬掩膜层表面，以形成第一环形开口和第一矩形开口；以所述底部抗反射层为掩模，刻蚀所述硬掩膜层至所述层间介质层表面，以形成第二环形开口和第二矩形开口；以所述介电抗反射层为掩模，对所述层间介质层进行主刻蚀处理，以形成第三环形开口和第三矩形开口；以所述硬掩膜层为掩模，对所述层间介质层进行过刻蚀处理，以形成第四环形开口和第四矩形开口，其中，参与所述过刻蚀处理的气体包括：C4F6和C4F8；以所述硬掩膜层为掩模，刻蚀所述阻挡层至所述导电层表面，以形成环形接触孔和矩形接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 接触孔的刻蚀方法
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