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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-03-25
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN111793790B
主分类号：C23C16/24
分类号：C23C16/24;C23C16/455;C23C16/52
优先权：["20190401 JP 2019-070114"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.01.18#实质审查的生效;2020.10.20#公开
摘要：本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。
主权项：1.一种成膜方法，重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体，其中，在供给所述非含卤硅原料气体的步骤之后，不进行所述处理容器内的抽真空和气体置换，连续地进行供给所述含卤硅原料气体的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
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