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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种稀土元素掺杂的WS2纳米片的制备方法、WS2纳米片及应用，通过选取易溶于水且熔点低的稀土化合物作为稀土掺杂的前驱体源，以一种简单的化学气相沉积法的方法，解决了稀土高熔点，难挥发的难题，成功制备了尺寸可控的，掺杂量可控的含稀土WS2纳米片。本申请将为解决稀土离子掺杂半导体的困难提供有效解决手段，并有效拓展和丰富WS2的发光特性。
主权项：1.一种稀土元素掺杂的WS2纳米片的制备方法，其特征在于，包括：选取水溶性强的含钨粉末作为钨源，以水溶性稀土化合物作为掺杂剂，利用卤盐作为形核促进剂，按照比例混合形成前驱体溶液；将衬底进行亲水处理；在无尘环境下，将前驱体溶液旋涂在衬底表面，形成前驱体膜；将足量硫粉置于双温区管式炉的一温区，将具有前驱体膜的衬底置于二温区，抽真空，反复向管式炉通载气以除去其内氧气；通气调节载气流量，一温区加热到120℃-240℃，二温区同时加热到820℃-920℃，保持5min-20min；将一温区和二温区温度降至室温，得到稀土元素掺杂的WS2纳米片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 稀土元素掺杂的WS2纳米片、制备方法及应用
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