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半导体AIP封装结构及其制造方法 

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申请/专利权人:恒劲科技股份有限公司

摘要:本发明公开一种载板内埋有晶片的半导体AIP封装结构及其制造方法,其中半导体AIP封装结构包括一第一载板、一半导体晶片以及一第二载板。第一载板具有至少两层堆叠设置的第一重分布层,并且各第一重分布层具有一第一介电层、一第一图案化金属层和或一第一导电柱层。半导体晶片内嵌于第一载板中,并且与该些第一重分布层耦连。第二载板具有一第二重分布层、一第二导电柱层及一空气介质层,其中第二导电柱层凸设于第二重分布层。第二载板以第二导电柱层连接于第一载板,而空气介质层位于第二重分布层、第二导电柱层及第一载板之间。

主权项:1.一种半导体AIP封装结构,其特征在于,包括:一第一载板,具有至少两个第一重分布层,其层叠设置,各第一重分布层具有一第一介电层、一第一图案化金属层和或一第一导电柱层;一晶片,内嵌于该第一载板中,并与该些第一重分布层耦连;以及一第二载板,与该第一载板相对设置,并具有一第二重分布层、一第二导电柱层及一空气介质层,该第二导电柱层凸设于该第二重分布层,其中,该第二载板以该第二导电柱层连接于该第一载板,该空气介质层位于该第二重分布层、该第二导电柱层及该第一载板之间,且该晶片的作用面朝向远离该第二载板的方向。

全文数据:

权利要求:

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