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申请/专利权人：兰州大学
申请日：2022-07-07
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN115117315B
主分类号：H01M4/36
分类号：H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/0525;H01M10/42;C01B33/02;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种硅氧负极材料的制备方法、硅氧负极材料、负极极片、锂电池及其制备方法。本发明提供的方法巧妙利用Kirkendall效应的基本原理，通过简单的热处理一步合成Si@SiO2中空核壳结构硅氧负极材料，采用所制备的硅氧负极材料制备的负极片具有优异的循环性能、稳定性和倍率性能。
主权项：1.一种制备Si@SiO2中空核壳结构硅氧负极材料的方法，所述方法包括如下步骤：采用Si粉作为原料，所述Si粉纯度不低于99.9wt.％，所述Si粉的粒径范围为0.1μm-2.0μm，在气氛炉中通入一定的气体，通入的气体是含氧气的气体，控制升温速率为6-15℃min-1，将热处理温度升高至850-1100℃，然后保持4-12小时，制备得到Si@SiO2中空核壳结构硅氧负极材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州大学 硅氧负极材料、负极极片、锂电池及其制备方法
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