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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日：2023-11-10
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN221127821U
主分类号：H10B63/00
分类号：H10B63/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权
摘要：本实用新型属于忆阻器领域，具体是涉及到一种具有自监控功能的忆阻器，包括依次设置的基底、栅介质、沟道材料、金属电极、介质层和顶电极，金属电极部分覆盖在沟道材料上，且金属电极在沟道材料上设置有两组，介质层覆盖在金属电极和沟道材料上，顶电极设置在介质层上，且顶电极位于两个金属电极之间，本实用新型将石墨烯场效应晶体管与忆阻器结合，一方面可以实现利用晶体管的开关功能控制忆阻器的选通，能够有效抑制器件本身的漏电以及相邻器件之间的串扰，从而提高器件的稳定性与可靠性，实现高效的阻变功能；另一方面，石墨烯晶体管可以作为原位传感器，监测忆阻器的工作状态，为从纳米量级尺度上研究忆阻器的工作机理提供技术支撑。
主权项：1.一种具有自监控功能的忆阻器，其特征是，包括依次设置的基底1、栅介质2、沟道材料3、金属电极4、介质层5和顶电极6，所述金属电极4部分覆盖在所述沟道材料3上，且金属电极4在沟道材料3上设置有两组，所述介质层5覆盖在所述金属电极4和沟道材料3上，所述顶电极6设置在介质层5上，且顶电极6位于两个金属电极4之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种具有自监控功能的忆阻器
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