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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理或蚀刻前驱物的等离子体。处理区域可在形成期间保持在第二压力。方法可包括利用处理前驱物的等离子体流出物处理沉积在基板上的材料层。工艺可循环任意次数。
主权项：1.一种半导体处理的方法，包括以下步骤：将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中；在容纳于所述半导体处理腔室的所述处理区域中的基板上沉积材料层，其中所述处理区域在所述沉积期间保持在第一压力；在所述处理区域内延伸挡板，其中所述挡板改变所述处理区域内的流动路径；在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成处理前驱物的等离子体，其中所述处理区域在所述形成期间保持在第二压力；以及利用所述处理前驱物的等离子体流出物处理沉积在所述基板上的所述材料层。
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