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申请/专利权人：深圳先进技术研究院
摘要：本申请提供的缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法，在CIGS吸收层上以射频磁控溅射法沉积ZnO,S缓冲层，一方面消除了含镉缓冲层存在的环境污染隐患；另一方面，可以通过控制氧氩气氛的流量比来调整带隙宽度，薄膜的光学带隙宽度在3.0‑3.5eV之间可调，使带隙与吸收层有更好的匹配，进而拓宽电池对太阳光谱的响应范围，是一种较为理想的替代CdS缓冲层薄膜的材料；另外，射频磁控溅射工艺还有效地提高了CIGS薄膜太阳能电池组件制备工艺的一致性，更便于流水线生产，一次成型，降低样品在不同工艺间转移时受到的污染，提高了生产效率和良品率。
主权项：1.一种缓冲层的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在CIGS吸收层上以射频磁控溅射法沉积ZnO,S缓冲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进技术研究院 缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
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