申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2024-05-17

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN118198019A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/367;H01L25/16;H01L25/18;H02M1/00;H02M3/158

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.14#公开

摘要：本发明公开了一种降压转化器封装结构，包括：第一导电层；硅基金属‑氧化物场效应晶体管；硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一漏极和第一导电层接触；氮化镓基高电子迁移率晶体管和硅基金属‑氧化物场效应晶体管位于第一导电层的同一侧，第二衬底和第一导电层接触；第二外延层内设置有导电通孔；电容，电容的第一极板与硅基金属‑氧化物场效应晶体管的第一源极通过导电条带电连接；电容的第二极板与氮化镓基高电子迁移率晶体管的第二漏极通过导电条带电连接；功率电感的第一端与第一漏极以及第二源极电连接，功率电感的第二端与降压转化器封装结构的第一信号输出端引脚电连接。本发明实施例提供的技术方案降低了降压转化器封装结构的热阻。

主权项：1.一种降压转化器封装结构，其特征在于，包括：第一导电层；硅基金属-氧化物场效应晶体管，所述硅基金属-氧化物场效应晶体管包括第一衬底、第一外延层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一外延层位于所述第一衬底的一侧，所述第一栅极和所述第一源极位于所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧，所述第一漏极位于所述第一衬底远离所述第一外延层的一侧；所述硅基金属-氧化物场效应晶体管位于所述第一导电层的一侧，所述第一漏极和所述第一导电层接触；氮化镓基高电子迁移率晶体管，所述氮化镓基高电子迁移率晶体管包括第二衬底、第二外延层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二外延层位于所述第二衬底的一侧，所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极位于所述第二外延层远离所述第二衬底的一侧；所述氮化镓基高电子迁移率晶体管和所述硅基金属-氧化物场效应晶体管位于所述第一导电层的同一侧，所述第二衬底和所述第一导电层接触；所述第二外延层内设置有导电通孔，所述导电通孔用于电连接所述第二源极和所述第二衬底；电容，所述电容的第一极板与所述硅基金属-氧化物场效应晶体管的第一源极通过导电条带电连接，并且接入第一电源信号；所述电容的第二极板与所述氮化镓基高电子迁移率晶体管的第二漏极通过导电条带电连接，并且接入第二电源信号；功率电感，所述功率电感的第一端与所述第一漏极以及所述第二源极电连接，所述功率电感的第二端与所述降压转化器封装结构的第一信号输出端引脚电连接；所述电容的第一极板与所述降压转化器封装结构的第二信号输出端引脚电连接。

全文数据：

权利要求：

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