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申请/专利权人:意法半导体国际公司
摘要:本公开涉及H桥命令电路。一种集成式单片H桥在体半导体区域中被形成。第一支路包括被集成在体半导体区域中的第一垂直MOS晶体管和第二横向MOS晶体管。第一垂直MOS晶体管和第二横向MOS晶体管被串联耦合。第二支路包括被集成在体半导体区域中的第三垂直MOS晶体管和第四横向MOS晶体管。第三垂直MOS晶体管和第四横向MOS晶体管被串联耦合,并且第一支路和第二支路被并联耦合。
主权项:1.一种集成式单片H桥,包括:体半导体区域;第一支路,包括被集成在所述体半导体区域中的第一垂直MOS晶体管和第二横向MOS晶体管,所述第一垂直MOS晶体管和所述第二横向MOS晶体管被串联耦合;以及第二支路,包括被集成在所述体半导体区域中的第三垂直MOS晶体管和第四横向MOS晶体管,所述第三垂直MOS晶体管和所述第四横向MOS晶体管被串联耦合,并且所述第一支路和所述第二支路被并联耦合。
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