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【发明公布】一种诱导甘薯基质培脱毒原原种薯的方法_四川农业大学_202410416799.6 

申请/专利权人:四川农业大学

申请日:2024-04-08

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN118177080A

主分类号:A01H4/00

分类号:A01H4/00;A01G31/00

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.14#公开

摘要:本发明公开了一种诱导甘薯基质培脱毒原原种薯的方法,涉及植物繁殖技术领域,包括以下步骤:S1、选取8~10cm脱毒试管苗,在植物生长室练苗至生长状态稳定后获得脱毒苗,将脱毒苗移至基质培养器中;S2、以玉米素核糖苷酸(ZR)为溶质,12霍格兰营养液为溶剂,配制ZR浓度为0.8~16mgL的营养溶液,将调配好的营养溶液加入基质培养器中;S3、移苗后每隔40天补加12霍格兰营养液,培育室温为24±2℃、光周期为1410h、光强为80~100µmol•m‑2•s‑1。本发明提供一种脱毒种薯的基质培育方式,培育出脱毒种薯供应给种植户的方式代替传统以脱毒薯苗供应的方式,让种植户根据需求利用脱毒种薯在生产基地自行培育脱毒苗,以更好满足市场甘薯生产需求。

主权项:1.一种诱导甘薯基质培脱毒原原种薯的方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、选取8~10cm脱毒试管苗,在植物生长室练苗至生长状态稳定后获得脱毒苗,将脱毒苗移至基质培养器中;S2、以玉米素核糖苷酸(ZR)为溶质,12霍格兰营养液为溶剂,配制ZR浓度为0.8~16mgL的营养溶液,将调配好的营养溶液加入基质培养器中;S3、移苗后每隔40天补加12霍格兰营养液,培育室温为24±2℃、光周期为1410h、光强为80~100µmol•m-2•s-1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 四川农业大学 一种诱导甘薯基质培脱毒原原种薯的方法

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