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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：一种半导体结构，包含设置于衬底之上的第一主动区、第一虚设主动区和第二虚设主动区、以及在第一方向上延伸于第一主动区之上的第一栅极结构。第一主动区具有在第一方向上延伸的第一边缘、以及连接第一边缘且在第二方向上延伸的第二边缘。第一虚设主动区具有在第一方向上延伸且紧邻第一主动区的第一边缘设置的第一边缘。第二虚设主动区具有在第二方向上延伸且紧邻第一主动区的第二边缘设置的第一边缘。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一主动区，设置于一衬底之上，其中该第一主动区具有在一第一方向上延伸的一第一边缘、以及连接该第一边缘且在一第二方向上延伸的一第二边缘，其中该第一方向垂直于该第二方向；一第一栅极结构，在该第一方向上延伸于该第一主动区之上；一第一虚设主动区，设置于该衬底之上，其中该第一虚设主动区具有在该第一方向上延伸且紧邻该第一主动区的该第一边缘设置的一第一边缘；以及一第二虚设主动区，设置于该衬底之上，其中该第二虚设主动区具有在该第二方向上延伸且紧邻该第一主动区的该第二边缘设置的一第一边缘。
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百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体结构
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