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申请/专利权人：中南大学
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186462A
主分类号：C25B11/089
分类号：C25B11/089;C25B11/055;C25B3/26;C25B1/23
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明属于金属基底制备技术领域，公开了一种气体扩散和导电性好的PTFE‑金属基底及其制备方法和应用，PTFE‑金属基底的结构从下至上依次为PTFE透气膜层、纤维层和金属层；所述纤维层呈脉络状设于所述PTFE透气膜层的上层，脉络状的所述纤维层形成疏水骨架，所述金属层镀在所述PTFE透气膜层和所述疏水骨架的上层，所述金属层附在所述疏水骨架上形成金属骨架；本发明解决了聚四氟乙烯透气膜导电性差以及直接采用金属作为二氧化碳电还原器件中的催化剂会伴随着严重的析氢反应，同时没有空隙将不利于气体的扩散的问题，适用于PTFE‑金属基底的制备。
主权项：1.一种气体扩散和导电性好的PTFE-金属基底，其特征在于：从下至上依次为PTFE透气膜层、纤维层和金属层；所述纤维层呈脉络状设于所述PTFE透气膜层的上层，脉络状的所述纤维层形成疏水骨架，所述金属层镀在所述PTFE透气膜层和所述疏水骨架的上层，所述金属层附在所述疏水骨架上形成金属骨架。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 气体扩散和导电性好的PTFE-金属基底及其制备方法和应用
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