申请/专利权人：中北大学

申请日：2020-12-02

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN112332821B

主分类号：H03K17/041

分类号：H03K17/041

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开

摘要：本发明提供一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路。所述的MOSFET防直通驱动电路包括隔离防直通电路，在控制侧防止驱动信号因非正常因素发出在某一时刻桥臂驱动同时为高电平的驱动信号导致桥臂MOSFET发生直通故障以及将控制电路与功率电路隔离减小功率电路在高频高压工作状态下对控制电路的干扰；栅极驱动和快速关断单元，驱动MOSFET导通以及加快MOSFET关断时的寄生电容的放电过程使MOSFET快速关断，降低桥臂PWM的死区时间，提高桥式电路MOSFET在开关状态切换的安全性和整机效率。

主权项：1.一种MOSFET无源隔离防直通快关驱动电路，其特征在于：包括隔离防直通单元、栅极驱动和快速关断单元，所述隔离防直通单元包括驱动变压器T1和隔直去耦电路，隔直去耦电路设置在驱动变压器T1的原边同名端，隔直去耦电路包括第一电阻R1和与第一电阻R1串联的第一电容C1，第一电阻R1的一端接驱动信号PWMA，第一电阻R1的另一端和第一电容C1的一端连接，第一电容C1的一端和第一反向二极管D1的阴极连接，第一电容C1的另一端和第一反向二极管D1的阳极连接，第一反向二极管D1的阳极与驱动变压器T1的原边同名端连接，驱动变压器T1的原边异名端接互补驱动信号PWMB；栅极驱动和快速关断单元包括栅极驱动单元和快速关断单元，栅极驱动单元包括第三电阻R3、第四电阻R4和连接在第三电阻R3、第四电阻R4之间的中间第二晶体二极管D2，第三电阻R3的一端连接在驱动变压器T1副边同名端，第三电阻R3的另一端和中间第二晶体二极管D2的阳极连接，中间第二晶体二极管D2的阴极和第四电阻R4的一端连接，第四电阻R4的另一端连接在MOSFET的栅极，快速关断单元包括第三晶体二极管D3、第一PNP三极管Q1、第二电阻R2和第二电容C2，第二电阻R2和第二电容C2并联后一端连接在驱动变压器副边同名端，另一端连接在第一PNP三极管Q1的基极，第三晶体二极管D3的阴极和中间第二晶体二极管D2的阴极连接，第三晶体二极管D3的阳极连接在MOSFET的栅极，第一PNP三极管Q1的发射极和第三晶体二极管D3的阴极连接，第一PNP三极管Q1的集电极和MOSFET源极连接，MOSFET源极还和驱动变压器T1的副边异名端连接。

全文数据：

权利要求：

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