龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日：2022-03-15
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN114628620B
主分类号：H10K71/00
分类号：H10K71/00;H10K50/84;G03F7/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.07.01#实质审查的生效;2022.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，包括薄膜封装层制备，薄膜封装层制备工艺为薄膜封装层成膜→涂胶及前烘烤→等离子体处理→曝光→灰化→刻蚀→去胶。本发明无需湿法显影即可完成图形化，进行薄膜封装层的制备，避免薄膜封装层因药液耐受性原因造成的良率损伤。
主权项：1.一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法，其特征在于：包括薄膜封装层制备，所述薄膜封装层制备工艺为薄膜封装层成膜→涂胶及前烘烤→等离子体处理→曝光→灰化→刻蚀→去胶；基于薄膜封装层制备的图形化方法包括如下步骤：步骤a.对完成阳极、像素定义层及蒸镀工艺的基板进行薄膜封装层成膜作业，得到第一基板（1）；步骤b.对第一基板（1）进行涂胶及前烘烤作业，得到第二基板（2）；步骤b的具体操作为：对完成薄膜封装层成膜的第一基板（1）进行光刻胶涂胶作业，光刻胶选用PMMA正性光刻胶；步骤c.对第二基板（2）进行等离子体处理，得到第三基板（3）；步骤c的具体操作为：完成光刻胶涂胶及前烘烤的第二基板（2）进行氟基及氧基等离子体处理，采用的等离子气体为CF4、O2，CF4的流量大小为20sccm~22sccm，O2的流量大小为3sccm~5sccm，增强光刻胶对氧等离子体的耐腐蚀性；步骤d.对第三基板（3）进行曝光处理，得到第四基板（4）；步骤d的具体操作为：对完成等离子体处理的第三基板（3）采用深紫外光束或电子束曝光；步骤e.对第四基板（4）进行灰化及刻蚀作业，得到第五基板（5）；步骤e的具体操作为：对完成曝光后的第四基板（4）进行灰化及干法刻蚀作业，采用氧等离子方法进行灰化；灰化采用气体O2；步骤f.对第五基板（5）进行去胶作业，得到第六基板（6）；即完成薄膜封装层制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽熙泰智能科技有限公司 一种用于药液耐受性差的膜层的图形化方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号