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申请/专利权人：深圳帧观德芯科技有限公司
摘要：本文所公开的是一种形成辐射检测器的方法。该方法包括形成辐射吸收层，并且将电子层接合到辐射吸收层。电子层包括电子系统，其配置成处理吸收辐射光子时在辐射吸收层生成的电信号。形成辐射吸收层的方法包括：将沟槽形成到半导体衬底的第一表面中；掺杂沟槽的侧壁；在第一表面上形成第一电触点；在半导体衬底的第二表面上形成第二电触点。第二表面与第一表面相对。该方法还包括沿沟槽来切分半导体衬底。
主权项：1.一种形成辐射检测器的方法，包括：将沟槽形成到半导体衬底的第一表面中；掺杂所述沟槽的侧壁；在所述第一表面上沉积第一电触点；在所述半导体衬底的第二表面上沉积第二电触点，所述第二表面与所述第一表面相对；以及沿所述沟槽来切分所述半导体衬底。
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百度查询： 深圳帧观德芯科技有限公司 制作辐射检测器的方法
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