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申请/专利权人：圆益IPS股份有限公司
摘要：根据实施例的氧化硅薄膜的形成方法作为利用基板处理装置的氧化硅薄膜的形成方法，该基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，位于所述处理空间，用于安置所述基板；气体喷射部，与所述基板支撑部相对地设置，向所述基板上喷射气体；及RF电源部，连接到所述基板支撑部和气体喷射部中的至少一个而供给用于产生等离子体的RF电源，并且所述方法包括如下步骤：在所述基板支撑部安置基板；施加第一RF电源而形成等离子体，分别供给硅源气体和氧源气体而在所述基板上形成氧化硅薄膜；及施加第二RF电源而形成等离子体，供给含氢气体，利用氢等离子体对所述氧化硅薄膜进行后处理。
主权项：1.一种氧化硅薄膜的形成方法，作为利用基板处理装置的氧化硅薄膜的形成方法，该基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，位于所述处理空间，用于安置所述基板；气体喷射部，与所述基板支撑部相对地设置，向所述基板上喷射气体；及RF电源部，连接到所述基板支撑部和气体喷射部中的至少一个而供给用于产生等离子体的RF电源，所述方法包括如下步骤：在所述基板支撑部安置基板；施加第一RF电源而形成等离子体，分别供给硅源气体和氧源气体而在所述基板上形成氧化硅薄膜；及施加频率不同于所述第一RF电源的第二RF电源而形成等离子体，供给含氢气体，对所述氧化硅薄膜进行后处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 圆益IPS股份有限公司 氧化硅薄膜形成方法
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