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申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司

摘要：本发明提供了一种N型BC电池的制备方法，该方法通过在N型抛光片背面采用第一隧穿氧化层+本征非晶硅层+第二隧穿氧化层+掺硼非晶硅层+氧化硅层的叠层结构，然后进行激光开氧化硅，然后碱腐蚀，当碱腐蚀到第二隧穿氧化层的界面时会截止，然后再印刷图形化磷源，图形和激光开膜图形一致，经过高温氧气氛围退火后，本征非晶硅层便会形成掺磷poly层即N+poly，原本的掺硼非晶硅层经过退火后形成有效掺杂即P+poly，N+和P+之间有本征poly隔开。本发明方法利用叠层掺杂层的结构和激光开膜形成图形化，利用印刷磷源的方式进行区域掺杂，简化了工艺流程。

主权项：1.一种N型BC电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：S1、选取N型单晶片，对硅片正背面进行双面抛光；S2、对抛光后的硅片从下至上依次沉积叠层结构：第一隧穿氧化层、本征非晶硅层、第二隧穿氧化层、掺硼非晶硅层、表面氧化硅层；S3、沉积好各层的硅片将最外层的氧化硅局部去除开膜，形成包含受保护区域与非保护区域的图形化结构；S4、将开膜后的硅片利用碱+添加剂刻蚀非保护区域的掺硼非晶硅层，由于在掺硼非晶硅下方有第二隧穿氧化层，碱刻蚀到氧化层时会有截止效果，因此下方的本征非晶硅可以保留，而受保护区域由于有最外层氧化硅层的保护可以耐住碱刻蚀从而保留完整结构；S5、刻蚀后在硅片表面涂敷图形化的磷源，磷源图案与开膜图形化结构的非保护区域相对应，其中所涂敷磷源的宽度小于开膜的宽度，因此开膜区域两侧会空出一定的宽度没有涂敷磷源，保持本征非晶硅结构，图形数量和开膜图形数量保持一致，然后再经过高温氧气氛围退火将磷源掺杂进本征非晶硅中，形成N+poly，而未涂敷磷源的本征非晶硅区域会经过高温晶化成本征poly，同时原本的掺硼非晶硅层中的硼会被激活形成有效掺杂，同时对下方的本征非晶硅也可以进行掺杂，共同形成P+poly，即经过高温退火后形成N-I-P的背面交叉结构；S6、将退火后的硅片单面过HF，去除正面高温过程中形成的氧化层；S7、将去除了正面氧化层后的硅片进行低温制绒，背面由于有在高温过程中形成的氧化层能够耐住低温的碱制绒，同时利用HF将背面的氧化硅去除；S8、将制绒后的硅片沉积双面氧化铝；S9、将沉积了氧化铝层后的硅片正背面沉积SiNx薄膜；S10、将镀膜后的硅片采用丝网印刷和烧结的方式制备背面P区和N区的金属电极。

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