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申请/专利权人:天水天光半导体有限责任公司
摘要:本申请提供了一种16位透明锁存器,16位透明锁存器包括:输入缓存级电路和输出驱动级电路,以实现完整的16位操作功能;在其版图设计中,采用SOI工艺、三阱工艺和保护环工艺;SOI工艺采用衬底悬浮CMOSSOI工艺,使PMOS晶体管和NMOS晶体管被绝缘体隔离,以避免产生闩锁效应;三阱工艺通过隔离P阱和P衬底的第三阱,以消除闩锁效应;保护环工艺包括:P+保护环、N+保护环或双阱N+保护环,以完成抗辐照加固,抗辐照能力可以达到300KradSi。
主权项:1.一种16位透明锁存器,其特征在于,所述16位透明锁存器的线路结构包括:两组输入使能端,所述每组输入使能端控制8个输出端和8个单独的锁存器;每个锁存器由单独的字节控制,控制端连接在一起,以完成完整的16位操作功能;所述16位透明锁存器可以当两个8位锁存器或四个4位锁存器使用;使能端决定八路输出状态;在所述16位透明锁存器的版图设计中,采用SOI工艺、三阱工艺和保护环工艺;所述SOI工艺采用衬底悬浮CMOSSOI工艺,使PMOS晶体管和NMOS晶体管被绝缘体隔离,以避免产生闩锁效应;所述三阱工艺通过隔离P阱和P衬底的第三阱,以消除闩锁效应;所述保护环工艺包括:P+保护环、N+保护环或双阱N+保护环,以完成抗辐照加固。
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权利要求:
百度查询: 天水天光半导体有限责任公司 16位透明锁存器
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