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一种窄波长增透正装APD芯片及其制备方法 

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申请/专利权人:浙江光特科技有限公司

摘要:本发明公开了一种窄波长增透正装APD芯片,包括InP衬底,所述InP衬底的正面设有外延功能层,外延功能层上设有P型电极,P型电极的外侧设有滤光片,滤光片覆盖APD芯片的光敏面;InP衬底的背面设有N型电极。本发明可实现对波长为1535nm±4或者1550±4nm激光的强吸收,在后续TO封装的过程中,不需要在TO的帽子上增加一个窄带滤波片以达到特定波长增透,可以直接将芯片贴在PCB版上,然后通过光学组件即可实现激光雷达组件接收的功能,从而使得激光雷达的制备更加小型化以及紧凑化。

主权项:1.一种窄波长增透正装APD芯片,包括InP衬底1,其特征在于,所述InP衬底1的正面设有外延功能层,外延功能层上设有P型电极7,P型电极7的外侧设有滤光片10,滤光片10覆盖APD芯片的光敏面;InP衬底1的背面设有N型电极8。

全文数据:

权利要求:

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