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申请/专利权人：杭州师范大学
摘要：本发明提供一种基于上下拉网络的双轨抗功耗攻击门电路设计方法。本方案采用双轨预充电逻辑，结合两个基于上下拉网络的单轨“与门”和“与非门”实现双轨“与门”，用双轨信号代替传统的单轨信号。本设计的单轨门电路仅使用4个晶体管，在单个时钟周期中使用行波流水预充电方法实现功耗平恒。实现了在每个时钟周期门电路的输出端在任何情况下只有一个“0”‑“1”信号的跳变，实现了电路功耗的恒定；同时具有晶体管数量少、单个双轨“与门”仅需8个晶体管，电路成本较低且功耗低的优点。
主权项：1.一种基于上下拉网络的双轨抗功耗攻击门电路设计方法，其特征在于：首先由基于上下拉网络的单轨“与门”和单轨“与非门”组成双轨“与门”；然后将时钟周期分为预充电阶段和求值阶段实现功耗恒定；所述预充电阶段采用行波流水预充电方法；所述单轨“与门”为NMOS管N1与N2并联，一端接电源VDD，另一端接输出端；PMOS管P1与P2并联，一端接输出端，另一端接地，输入端x1接N1和P1的栅极；x2接N2与P2的栅极；单轨“与非门”为PMOS管P3与P4并联，一端接电源VDD，另一端接输出端；NMOS管N3与N4串联，一端接输出端，另一端接地；输入端x1接P3和N3的栅极；x2接P4与N4的栅极；所述双轨“与门”具体为：NMOS管N5与N8并联，一端接电源VDD，另一端接输出端AB；NMOS管N9与N12并联，一端接输出端AB，另一端接地；NMOS管N6与N7并联，一端接电源VDD，另一端接输出端；NMOS管N10与N11串联，一端接输出端，另一端接地；单个时钟周期的前半周期为预充电阶段，采用行波流水预充电方法；在预充电阶段，输入信号为全“0”，输出信号为全“0”，通过这样的逐级传递实现整个电路统一的预充电；时钟的后半周期为求值阶段，执行正常的逻辑运算，在预充电阶段输入信号为两对差分信号，输出信号为一对差分信号，用双轨（0,1）代替传统的逻辑“0”，（1,0）代替传统的逻辑“1”。
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