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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2021-10-19
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114756077B
主分类号：G05F1/56
分类号：G05F1/56
优先权：["20210108 US 17/144,461"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开
摘要：本申请案涉及集成组合件内的参考电压产生器。一些实施例包含集成组合件，其具有基底之上的层面且具有由所述层面支撑的存储器单元。所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及晶体管。所述存储器单元的所述个别电容性单元各自具有存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料。参考电压产生器包含由所述层面支撑的电阻性单元。所述电阻性单元类似于所述存储器单元但包含互连单元来代替所述电容性单元。一些邻近电阻性单元的所述互连单元彼此短接。
主权项：1.一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；由所述层面支撑的存储器单元；所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体材料支柱，所述半导体材料支柱包括垂直布置在第一上源极漏极区和第一下源极漏极区之间的第一沟道区；所述存储器单元的个别的所述电容性单元各自包括存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料，所述存储节点电极包括电耦合到所述第一上源极漏极区的第一导电结构；及参考电压产生器，其包含由所述层面支撑的电阻性单元；所述电阻性单元的每一者具有第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体材料支柱，所述第二半导体材料支柱具有垂直布置在第二上源极漏极区和第二下源极漏极区之间的第二沟道区，所述电阻性单元的每一者包括互连单元，所述互连单元包括电耦合到所述第二上源极漏极区的第二导电结构，至少两个邻近电阻性单元通过导电连接彼此短接，所述导电连接熔合所述至少两个邻近电阻性单元的所述第二导电结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 集成组合件内的参考电压产生器
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