申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-10-24

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN111092061B

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07

优先权：["20181024 KR 10-2018-0127518"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2021.08.13#实质审查的生效;2020.05.01#公开

摘要：一种半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有基底焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述基底结构上，并且具有结合到所述基底焊盘的第一连接焊盘；第一结合结构，所述第一结合结构包括基底结构的基底绝缘层以及所述第一半导体芯片的结合到所述基底绝缘层的第一下绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上，具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；以及第二结合结构，所述第二结合结构包括所述第一半导体芯片的第一上绝缘层以及所述第二半导体芯片的结合到所述第一上绝缘层的第二下绝缘层，所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。

主权项：1.一种半导体封装件，包括：基底结构，所述基底结构具有下表面和上表面，并且在所述下表面上具有第一焊盘，在所述上表面上具有第二焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述基底结构的所述上表面上，并且具有直接结合到所述第二焊盘的第一连接焊盘和连接到所述第一连接焊盘的第一贯穿电极；第一结合结构，所述第一结合结构设置在所述基底结构与所述第一半导体芯片之间，所述第一结合结构包括位于所述基底结构的所述上表面上的基底绝缘层以及位于所述第一半导体芯片上的第一下绝缘层，所述第一下绝缘层直接结合到所述基底绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；第二结合结构，所述第二结合结构设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间，所述第二结合结构包括直接接触所述第一半导体芯片的第一上绝缘层、直接接触所述第一上绝缘层的第二上绝缘层、以及直接接触所述第二上绝缘层和所述第二半导体芯片的第二下绝缘层；以及模制构件，所述模制构件围绕所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，其中，所述第一上绝缘层和所述第二上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸超过所述第一半导体芯片的外围，所述模制构件具有第一树脂部分和第二树脂部分，所述第一树脂部分在所述基底结构上设置在所述第一半导体芯片周围，所述第二树脂部分在所述虚设绝缘部分上设置在所述第二半导体芯片周围，所述第一上绝缘层的下表面直接接触所述第一树脂部分的上表面，所述第二上绝缘层的上表面在所述虚设绝缘部分中直接接触所述第二树脂部分的下表面，其中，所述虚设绝缘部分的侧表面与所述第一树脂部分和所述第二树脂部分的侧表面齐平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体封装件

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