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申请/专利权人：德州仪器公司
申请日：2018-12-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN111295753B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：["20171226 US 15/854,440"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.06.16#公开
摘要：一种直接功率注入DPI电路100在耦合到静电放电ESD电路时减少所述ESD电路中的噪声影响。所述DPI电路100包含：NMOS晶体管MN1，其耦合于输出节点104与下部轨GND之间；及电荷泵C1、D1、D2，其耦合于输入节点102与所述NMOS晶体管MN1的栅极之间。电阻器R1耦合于所述NMOS晶体管MN1的所述栅极与所述下部轨GND之间。
主权项：1.一种直接功率注入DPI电路，其用于减少耦合到受保护节点的静电放电ESD电路中的噪声影响，所述DPI电路包括：输出节点，其适于耦合到耦合于所述受保护节点与接地之间的电力晶体管的栅极；输入节点，其适于耦合到所述受保护节点，所述受保护节点接收导通所述电力晶体管的ESD事件且接收能够致使所述电力晶体管导通的较小的累积振荡电压噪声影响；第一晶体管，其具有耦合到所述输出节点的漏极、耦合到所述接地的源极，及栅极；电荷积累电路，其连接于所述输入节点与所述第一晶体管的所述栅极之间，所述电荷积累电路包含：第一电容器，其具有连接到所述输入节点的第一端子且具有连接到中间节点的第二端子；第一二极管，其具有连接到所述中间节点的阳极且具有连接到所述第一晶体管的所述栅极的阴极；第二二极管，其具有连接到所述中间节点的阴极且具有连接到所述接地的阳极；及第二电容器，其具有连接到所述第一晶体管的所述栅极的第一端子且具有连接到所述接地的第二端子；及第一电阻器，其具有耦合到所述第一晶体管的所述栅极的第一端子及耦合到所述接地的第二端子；其中所述第一电容器、所述第二电容器和所述第一电阻器响应于所述累积振荡电压噪声影响而被调谐以将电荷堆积到所述第一晶体管的所述栅极上，以导通所述第一晶体管且关断所述电力晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德州仪器公司 减少静电放电电路中的噪声影响
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