龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：无锡商甲半导体有限公司
申请日：2023-10-12
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221176229U
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;G06F30/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：本实用新型提供一种分离栅MOSFET版图布局结构，在版图布局上，在终端区围绕有源区设置一条电场截止沟槽，在版图布局的拐角角落区域，所述电场截止沟槽设置成一段弧形沟槽；在有源区设有多条等间隔平行的单胞沟槽；在版图布局的拐角角落区域，外侧的数条单胞沟槽设有与电场截止沟槽的弧形沟槽相对应的弯曲沟槽；数条单胞沟槽的弯曲沟槽的端部平齐且与另一条单胞沟槽相对。各单胞沟槽边缘之间的距离，以及电场截止沟槽内边缘与其相邻的单胞沟槽边缘之间的距离均相同。本实用新型能够提高耐压，并节省了终端区的面积。
主权项：1.一种分离栅MOSFET版图布局结构，其特征在于，在版图布局上，在终端区围绕有源区设置一条电场截止沟槽20，在版图布局的拐角角落区域，所述电场截止沟槽20设置成一段弧形沟槽201；在有源区设有多条等间隔平行的单胞沟槽10；在版图布局的拐角角落区域，外侧的数条单胞沟槽10设有与电场截止沟槽20的弧形沟槽201相对应的弯曲沟槽101；数条单胞沟槽10的弯曲沟槽101的端部平齐且与另一条单胞沟槽10相对。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡商甲半导体有限公司 一种分离栅MOSFET版图布局结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号