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申请/专利权人：四川大学
申请日：2024-03-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234359A
主分类号：H10N10/852
分类号：H10N10/852;H10N10/01;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种掺杂的n型Bi2Te3热电材料及其制备方法，该热电材料为在Bi2Te3热电材料中掺杂0.5～3wt％Si、0.1～0.2wt％或1～3wt％的La2O3或0.15～1mol％C3N4。本发明掺杂纳米硅、氧化镧或碳三氮四，这些纳米材料以第二相形式掺杂都可大幅度提升碲化铋基体的热性能同时通过调节散射因子提高材料电性能，最终通过对各参数的协同优化，可以有效提升n型Bi2Te3Se0.3性能ZT值，并且由于纳米颗粒弥散强化的作用，材料力学性能也得到了提高。
主权项：1.一种掺杂的n型Bi2Te3热电材料，其特征在于，该热电材料为在Bi2Te3热电材料中掺杂0.5～3wt％Si、0.1～0.2wt％或1～3wt％的La2O3或0.15～1mol％C3N4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川大学 一种掺杂的n型Bi2Te3热电材料及其制备方法
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