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申请/专利权人:江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要:本申请公开了一种优化绝缘体上半导体结构键合效果的方法及结构,属于半导体技术领域。该方法包括:在第一晶圆的一侧形成第一栅极;在第二晶圆的一侧形成与所述第一栅极相匹配的开口;将所述第一晶圆与所述第二晶圆相键合,并使所述第一栅极位于所述开口内。本申请能够提高绝缘体上半导体结构的键合效果,且改善浮体效应。
主权项:1.一种优化绝缘体上半导体结构键合效果的方法,其特征在于,包括:在第一晶圆的一侧形成第一栅极;在第二晶圆的一侧形成与所述第一栅极相匹配的开口;将所述第一晶圆与所述第二晶圆相键合,并使所述第一栅极位于所述开口内。
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百度查询: 江苏卓胜微电子股份有限公司 优化绝缘体上半导体结构键合效果的方法及结构
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