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申请/专利权人：杭州荷声科技有限公司
申请日：2024-05-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234361A
主分类号：H10N30/072
分类号：H10N30/072;H10N30/87;H10N39/00;A61B8/12;A61B8/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种新型多芯片片上超声互联封装方法，涉及芯片封装技术领域，解决了多芯片封装良率较低且成本高的技术问题，其技术方案要点是通过芯片的减薄，以及wirebonding和flipchip封装工艺与传统工艺的兼容，避免了DRIE工艺的使用，提高了晶圆的有效利用率，在实现多芯片互连封装的同时，将芯片的制造和多芯片的互连解耦，解除了晶圆级封装的必要性，增加了芯片制造和测试的灵活度，极大地降低了封装成本。
主权项：1.一种新型多芯片片上超声互联封装方法，其特征在于，包括：将多颗需要互连的芯片单独切割、减薄；其中，所述芯片包括由超声换能器直接集成到ASIC表面形成的垂直堆叠结构；将减薄后的芯片焊接到柔性基底上，得到多芯片互连系统；其中，所述柔性基底上设有绝缘层和电学互连层；将具有柔性基底的多芯片互连系统进行弯折，得到片上超声集成模组，完成封装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州荷声科技有限公司 一种新型多芯片片上超声互联封装方法
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