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申请/专利权人：深圳先进技术研究院
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222987A
主分类号：C23C14/34
分类号：C23C14/34;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58;H01L31/032
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种四元靶溅射硒化硫化CIGSSe吸收层及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明四元靶溅射硒化硫化CIGSSe吸收层的制备方法包括：1.取衬底，溅射获得金属Mo层，在Mo层上进行溅射处理，获得含有Cu、Ga、In的第一预制层；2.对第一预制层进行第一次硒化退火，生成第一硒化层；3.降温处理，在第一硒化层上进行溅射处理，获得含有Ga、In硒化物的第二预制层；4.进行第二次硒化退火，获得CIGS吸收层；5.对CIGS吸收层进行硫化处理，获得CIGSSe吸收层。本发明通过两次溅射硒化和一次后硫化处理，能精确控制铜和镓的梯度，缩短整体硒化时间，提高大面积均匀性，且设备成本较低。
主权项：1.一种四元靶溅射硒化硫化CIGSSe吸收层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）取衬底，溅射获得金属Mo层，在Mo层上进行溅射处理，获得含有Cu、Ga、In的第一预制层；（2）对第一预制层进行第一次硒化退火，生成第一硒化层；（3）降温处理，在第一硒化层上进行溅射处理，获得含有Ga、In硒化物的第二预制层；（4）对第一硒化层及其上溅射的第二预制层进行第二次硒化退火，获得CIGS吸收层；（5）对CIGS吸收层进行硫化处理，获得CIGSSe吸收层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进技术研究院 一种四元靶溅射硒化硫化CIGSSe吸收层及其制备方法
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